富士通公司和铁电产品介绍

栏目:行业动态 发布时间:2022-11-10
铁电存储芯片是一种高性能、低功耗的非易失性存储器,它结合了 Flash 和 EEPROM 等传统非易失性存储器和高速 RAM(SRAM 和 DRAM)的优点。 FRAM 是非易失性的,但可以在 RAM 等其他方面运行。

概述

 

FRAMFerroelectronic Random Access memory)是一种高性能、低功耗的非易失性存储器,它结合了 Flash EEPROM 等传统非易失性存储器和高速 RAMSRAM DRAM)的优点。 FRAM 是非易失性的,但可以在 RAM 等其他方面运行。

 

这种通用存储器的性能优于现有的 EEPROM FLASH 等存储器,功耗更低,速度快很多倍,并且对多次读写操作具有更大的耐受性。

 

特别是,FRAM 提供 2 3 位 十亿分之一秒范围内的写入和读取访问时间,使其性能可与标准 RAM 相媲美。

 

FLASH EEPROM 的最大读/写周期数约为 100,000 次。拥有超过 1 万亿次读/写周期,FRAM 存储器的生命周期基本上是无限的。

 

FRAM的优势

 

高速存取:FRAM EEPROM 30 倍。

 

高耐用性:FRAM 的耐用性是 EEPROM 的数百万倍。低功耗:FRAM 的功耗比 EEPROM 200 倍。

 

出色的防篡改:FRAM 集成了出色的防篡改技术。物理分析无法检测到写入 FRAM 的数据。

 

抗辐射性:FRAM 对磁场和辐射具有很高的抗性。

 

工作温度范围:FRAM 的工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃。

 

数据保留:FRAM 可以在没有电池的情况下保留数据 10 年。

 

应用

 

在许多需要高性能、低功耗和高耐用性的应用中,对 FRAM 的需求正在迅速增长。 FRAM EEPROM 的绝佳替代品,适用于低功耗数据记录应用,即使在突然断电的情况下,也必须防止任何数据丢失。其他应用包括智能卡、RFID、安全、工业系统、工厂自动化和计量设备。

 

FRAM 可以理想地替代所有备用电池解决方案并启用环保产品。 FRAM 中的铁电子材料对磁场和辐射具有很高的抵抗力,使其非常适合医疗、航空航天和食品应用。

 

FRAM 结合了 FLASH/EEPROM SRAM/DRAM 的优点。

 

富士通提供独立的 FRAM 和用于 RFID FRAM,以及 COT、代工和定制设计服务。

 

独立 FRAM

 

独立 FRAM 可以集成到任何需要高速、非易失性存储器的系统中。 FRAM 不需要电池来备份其数据。这大大节省了成本和电路板空间。 FRAM 可用于存储设置、配置和设备状态信息。此信息稍后可用于重置设备、分析状态和激活恢复操作等活动。逐字节随机访问使内存管理更加高效。

 

这种高速、非易失性存储器像 RAM 一样运行。这使程序员可以根据需要灵活地分配 RAM ROM 存储器映射。最终用户可以在底层对 FRAM 进行编程,以根据他们的个人喜好进行定制。独立 FRAM 使设计人员可以在各种设计中自由探索和使用 FRAM

 

基于 FRAM 的射频识别 (RFID) 芯片

 

该行业不再满足于通过磁条或条形码获得的有限信息。需要与每个单独的产品一起存储大量信息,包括 ID、历史记录和跟踪记录。供应链不同阶段的可追溯性对于确保产品质量至关重要,其中高安全性和低功耗非常重要。富士通的高密度、基于 FRAM RFID 产品系列支持强大的跟踪应用。由于 FRAM 具有抗辐射能力,这些 RFID 芯片适用于需要伽马灭菌和高压灭菌器的各种医疗和制药应用。

 

应用

 

物流、供应链管理、客票、订阅卡、工厂自动化访问控制、医疗和食品行业应用、传感器和数据记录维护跟踪。

 

具有 UHF RF SPI 接口的 FRAM 存储设备

 

MB97R803A/B 有两种类型,一种是传统的非接触式 EPC 全球 RFID 产品,另一种是基于接触的 SPI 接口。这种双接口设备可以作为基于微控制器的嵌入式系统的一部分来实现。传感器和 MCU 捕获的数据可以存储在 FRAM 设备中。用户可以使用非接触式 UHF 接口轻松访问这些数据,或者可以通过射频场将配置和控制数据传输到嵌入式系统。双接口 FRAM 用于物流跟踪系统、数据记录设备、信息显示和无线跟踪等应用。

 

FRAM RFID 的优势

 

范围:由于 FRAM 的低功耗,可以在给定的场强或功率密度内提高工作范围。

 

速度和大容量:FRAM 存储器的写入速度与读取速度一样快。这高速访问和低功耗允许设计适合数据记录的大容量 RFID 芯片。

 

几乎无限的读/写次数:FRAM 具有 1 万亿次的读/写耐久性,更耐用,适用于需要高频率重写的应用。

 

伽马辐射硬度:与 EEPROM 不同,FRAM 不会因辐射暴露而丢失其内容。因此,基于 FRAM RFID 标签非常适合通过辐照进行灭菌的医疗或食品行业应用。 FRAM 数据可防止高达 50kg 的伽马射线灭菌,这是很少需要的剂量。

 

特征

 

4K 字节 FRAM

 

非接触式接口:ISO/IEC 18000-6EPC global C1G2860MHz-960MHz可选2MHz SPI接口防冲突算法密码保护。

 

大容量内存传输命令

 

目标应用

 

物流跟踪系统、数据记录设备、信息显示、无线跟踪

 

富士通 FRAM 领导力

 

富士通在设计和制造高质量、高可靠性的 FRAM 产品方面有着良好的记录。富士通于 1998 年成为业内第一家将 FRAM 嵌入 CMOS 逻辑的公司,并于 1999 年开始量产。作为业界最大的 FRAM 供应商,富士通的 FRAM 器件出货量已超过 3000 万件。富士通的 FRAM 设备在其日本三重工厂生产,该工厂已通过 ISO9002/ISO 14001 认证。

 

公司对设计、制造工艺技术和生产进度的把控能力可以确保更可靠、更稳定的供应,以满足对FRAM产品日益增长的需求。


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