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MB85RS256BPNF-G-JNERE1

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MB85RS256BPNF-G-JNERE1

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MB85RS256B 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 32,768 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS256B 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS256B 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS256B 中使用的存储单元可用于 1012 次读 / 写操作，它的读/ 写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。
MB85RS256B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS256B 不需要等待
时间。
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特点

• 位配置：32,768 × 8 位

• 串行外围设备接口：SPI （串行外设接口）

与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信

• 工作频率：除READ 的所有命令 33 MHz （最大）

READ 命令 25 MHz （最大）

• 高耐久性：1012 （一万亿）次/ 字节

• 数据保持：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压：2.7 V 到 3.6 V

• 低功耗：工作电流 6 mA （33 MHz 下的典型值）

待机电流 9 μA （典型值）

• 工作环境温度范围：− 40 °C 到+ 85 °C

• 封装：8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)

符合 RoHS


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