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富士通铁电存储MB85RC04V

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富士通铁电存储MB85RC04V

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MB85RC04V 是一种被称为FRAM （铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 512 × 8 位，通过铁电工
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC04V 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC04V 非易失性存储单元读/ 写的耐久性进一步提升，至少为 1012 （一万亿）次，明显超过FLASH
和 E2PROM。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC04V 在写入存储器后无需轮询序列。
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特点

• 位配置：512 × 8 位

• 二线串行接口：通过两个端口实现完全可控：串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。

• 工作频率：1 MHz （最大）

• 读/ 写耐久性：1012 （一万亿）次/ 字节

• 数据保持：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压：3.0 V 到5.5 V

• 低功耗：工作电流 90 μA （1 MHz 下的典型值）

待机电流 5 μA （典型值）

• 工作环境温度范围

：− 40 °C 到+ 85 °C

• 封装：8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)

符合 RoHS


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