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MB85RS1MTPNF-G-JNERE1

MB85RC1MT 是一种被称为FRAM(铁电随机存取存储器)的存储芯片,配置为 131,072 × 8 位,通过铁
电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同, MB85RC1MT 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC1MT 非易失性存储单元读/ 写的耐久性进一步提升,至少为 1013 (一万亿)次,明显超过FLASH
和 E2PROM。
与FLASH 或 E2PROM 不同, MB85RC1MT 在写入存储器后无需轮询序列。

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特点

• 位配置:131,072 × 8 位

• 二线串行接口:通过两个端口实现完全可控:串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。

• 工作频率:3.4 MHz ( 超高速模式时,最大值 )

1 MHz ( 快速增强模式,最大值)

• 读/ 写耐久性:1013 (十万亿)次/ 字节

• 数据保持:10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压:1.8 V 到3.6 V

• 低功耗:工作电流 0.71 mA (3.4 MHz 下的典型值), 1.2 mA (3.4 MHz 下的最大值)

待机电流 15 μA (典型值)

休眠电流 4 μA (典型值)

• 工作环境温度范围

:− 40 °C 到+ 85 °C

• 封装:8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)

符合 RoHS


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