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MB85RS256BPNF-G-JNERE1

MB85RS256B 是 FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,配置为 32,768 × 8 位,通过铁电工艺和硅栅 CMOS
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS256B 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS256B 与 SRAM 不同,无需备用电池即可保持数据。
MB85RS256B 中使用的存储单元可用于 1012 次读 / 写操作,它的读/ 写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。
MB85RS256B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间,而且 MB85RS256B 不需要等待
时间。

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特点

• 位配置:32,768 × 8 位

• 串行外围设备接口:SPI (串行外设接口)

与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信

• 工作频率:除READ 的所有命令 33 MHz (最大)

READ 命令 25 MHz (最大)

• 高耐久性:1012 (一万亿)次/ 字节

• 数据保持:10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压:2.7 V 到 3.6 V

• 低功耗:工作电流 6 mA (33 MHz 下的典型值)

待机电流 9 μA (典型值)

• 工作环境温度范围:− 40 °C 到+ 85 °C

• 封装:8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)

符合 RoHS


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