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MB85RS1MTPNF-G-JNERE1

MB85RS1MT是配置为131072的FRAM(铁电随机存取存储器)芯片话x 8位,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。

MB85RS1MT采用串行外围接口(SPI)。

MB85RS1MT能够在不使用备用电池的情况下保留数据,这是SRAM所需要的。

MB85RS1MT中使用的存储单元可用于1013次读/写操作,这是一个非常重要的问题,改进了闪存和E2PROM支持的读写操作数量。

MB85RS1MT不需要很长时间来写入闪存或E2PROM之类的数据,而MB85RS1MT没有等待时间。

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特点

• 位配置:131,072 × 8 位

串行外围接口:SPI(串行外围接口)

对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)

• 工作频率:

1.8 V至2.7 V,25 MHz(最大值)

2.7 V至3.6 V,30 MHz(最大)

对于FSTRD命令2.7 V至3.6 V,40 MHz(最大值)

• 读/ 写耐久性:1013 (十万亿)次/ 字节

• 数据保持:10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压:1.8 V 到3.6 V

• 低功耗:

工作电源电流9.5 mA(Max@30(兆赫)

待机电流120 μA(最大值)

睡眠电流10 μA(最大值)

• 工作环境温度范围

:− 40 °C 到+ 85 °C

• 封装:8 引脚塑料 SOP 150mil(FPT-8P-M02)

          符合RoHS标准


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