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MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC16 是一种被称为FRAM(铁电随机存取存储器)的存储芯片,配置为 2,048 × 8 位,通过铁电工
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同, MB85RC16 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC16 中使用的存储单元至少具有每字节 1012 (一万亿)次读/ 写操作的耐久性,次数明显超过其他
非易失性FLASH 等产品。
MB85RC16 可执行以一字节为一组的写操作。它与FLASH 和 E2PROM 不同,既不需要很长的写时间,也
不需要在写入存储器后的轮询序列。

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• 位配置 : 2,048 × 8 位

• 二线串行接口 : 通过两个端口实现完全可控:串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。

• 工作频率 : 1 MHz (最大)

• 读/ 写耐久性 : 1012 (一万亿)次/ 字节

• 数据保持 : 10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压 : 2.7 V 到3.6 V

• 低功耗 : 工作电源电流 70 μA (1 MHz 下的典型值)

待机电流 0.1 μA (典型值)

• 工作环境温度范围

: − 40 °C 到+ 85 °C

• 封装 : 8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)

8 引脚塑料 SON (LCC-8P-M04)

符合 RoHS


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