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MB85RS512TPNF-G-JNERE1

MB85RS512T 是 FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,配置为 65,536字x8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS512T 采用串行外设接口(SPI)。
MB85RS512T 无需使用备用电池即可保留数据,这正是 SRAM 的需要。
MB85RS512T 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作,这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS512T 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样长时间写入数据,而 MB85RS512T无需等待。

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特点

• 位配置:65,536 字 x 8 位

• 串行外设接口:SPI(串行外设接口)

对应SPI模式0 (0, 0)和模式3 (1, 1)

• 工作频率:1.8 V 至 2.7 V,25 MHz(最大值)

2.7 V 至 3.6 V,30 MHz(最大值)

对于 FSTRD 命令,2.7 V 至 3.6 V,40 MHz(最大值)

• 高耐久性:1013次/字节

• 数据保留:10 年 (+85 C)、95 年 (+ 55 C)、200 年以上 (+ 35 C)

• 工作电源电压:1.8 V 至 3.6 V

• 低功耗:工作电源电流 6 mA (Typ@30 MHz)

10 毫安(最大@30 MHz)

待机电流 120 μA(最大)

休眠电流 10 μA(最大值)

• 工作环境温度范围:-40 C 至 +85 C

• 封装:8 针塑料 SOP

符合 RoHS 标准



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