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MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

MB85RS2MTA 是 FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,配置为 262,144
字x8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS2MTA 采用串行外设接口(SPI)。
MB85RS2MTA 无需使用备用电池即可保留数据,这正是 SRAM 的需要。
MB85RS2MTA 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作,这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS2MTA 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样花费很长时间来写入数据,而 MB85RS2MTA
无需等待。

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特点

• 位配置:262,144 字 x 8 位

• 串行外设接口:SPI(串行外设接口)

对应SPI模式0 (0, 0)和模式3 (1, 1)

• 工作频率:40MHz(最大)

• 高耐久性:1013次/字节

• 数据保留:10 年 (+85 C)、95 年(+55 C)

• 工作电源电压:1.7 V 至 3.6 V

• 低功耗:工作电源电流2.3mA (Max@40 MHz)

待机电流 50 μA(最大)

休眠电流 10 μA(最大值)

• 工作环境温度范围:-40 C 至 +85 C

• 封装:8 针塑料 SOP

符合 RoHS 标准



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