富士通64Kbit非易失性铁电存储器MB85RS64介绍

富士通提供铁电FRAM非易失性存储器产品组合，可在断电时即可捕获和保存关键数据。在关键任务数据记录应用中，eg需要高可靠性控制和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)，或以低功耗设计的植入人体的增强生命的患者监护设备，小尺寸内存，富士通的FRAM 提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，却不会影响速度或能源效率。今天64Kbit非易失性铁电存储器MB85RS64。

功能说明
MB85RS64是一款采用先进铁电工艺的64Kbit非易失性铁电存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，执行类似于RAM的读取和写入。它提供151年的可靠数据保留，同时消除由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

MB85RS64 中使用的存储单元可用于 1012 次读 / 写操作，它的读/ 写耐久性大大超过FLASH 和E2PROM。

MB85RS64 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS64 不需要等待时间。

这些功能使MB85RS64非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。示例范围从数据收集（其中写入周期数可能至关重要）到要求苛刻的工业控制（其中串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。

MB85RS64为串行EEPROM或闪存作为硬件替代品的用户提供了巨大的好处。MB85RS64采用高速SPI总线，增强了FRAM技术的高速写入能力。器件规格在–40℃至+85℃的工业温度范围内得到保证。

特征

• 位配置：8,192 × 8 位

• 串行外围设备接口：SPI （串行外设接口）

与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信

• 工作频率：20 MHz （最大）

• 高耐久性：1012 （一万亿）次/ 字节

• 数据保持：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压：2.7 V 到 3.6 V

• 低功耗：工作电流 1.5 mA （20 MHz 下的典型值）

待机电流 5 μA （典型值）

• 工作环境温度范围：− 40 °C 到+ 85 °C

• 封装：8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)

符合 RoHS

深圳市金鼎泰电子有限公司是富士通铁电存储一级代理商，所售产品100%来自富士通工厂。 质量包装，且能提供最优价格。欢迎来电或邮件咨询。