富士通 FRAM 内存的寿命本质上是无限的

什么是 FRAM

FRAM 使用以薄膜形式放置在两个电极之间的铁电材料的极化来存储信息。FRAM 单元结构类似于 DRAM 单元的晶体管和电容器结构，它不需要闪存或 EEPROM 操作所需的高编程电压。因此，FRAM 提供了非易失性数据存储，但与其他传统非易失性存储器相比，其能源效率显着提高。

FRAM 的优势

FRAM 通用存储器的性能优于 EEPROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，速度快很多倍，并且对多次读写操作具有更大的耐受性。具体而言，FRAM 提供 2 到 3 位纳秒范围内的写入和读取访问时间，使其性能可与标准 RAM 相媲美。Flash 和 EEPROM 的最大读/写周期数约为 100,000 次。具有超过 100 亿次读/写周期，FRAM 存储器的寿命基本上是无限的。

FRAM 需求量大

在许多需要高性能、低功耗和高耐用性的应用中，对 FRAM 的需求正在迅速增加。FRAM 是 EEPROM 的绝佳替代品，适用于低功耗数据记录应用，即使在突然断电的情况下，也必须防止任何数据丢失。其他应用包括智能卡、RFID、安全、工业系统、工厂自动化和计量设备。

FRAM 可以理想地替代所有备用电池解决方案并实现环保产品。FRAM 中的铁电材料对磁场和辐射具有很强的抵抗力，非常适合医疗、航空航天和食品应用。

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