富士通推出新的 8 Mbit FRAM，可保证高达 100 万亿次的写入时间

谈到科技界的新成就，富士通始终走在前列。新的富士通 8 Mbit FRAM 也是如此，它可以取代以前使用的 SRAM 作为非易失性存储

全新 Fujitsu 8 Mbit FRAM：工业应用的理想选择

在工业厂房中，这取决于所用存储的性能。内存的读取和写入速度都在这里起作用。这应该尽可能高，同时消耗很少的操作和总功率。到目前为止，这已由 SRAM 保证，现在应该由新的 Fujitsu 8 Mbit FRAM 接管。由于其出色的性能，它将是工业应用的理想选择。

它消耗的工作电流最多可减少 10%，据说速度可提高 30%。应该可以实现高达 100 万亿次的读写周期，这是迄今为止其他 FRAM 无法做到的。到目前为止，富士通 8 Mbit FRAM 可以成为以前使用的 SRAM 的强大替代品的假设似乎得到了证实。

关注客户愿望

新的富士通 8 Mbit FRAM 主要是为了满足客户想要高读写速度和快速快速页面模式的愿望。后者使用 8 Mbit FRAM 最多可达 25 纳秒。

非易失性存储器已经使用了 20 多年，因此目前的版本在市场上并不是完全新颖的。然而，这些以前的解决方案并没有考虑到客户的意愿，他们主要关注的是高运行速度和低功耗。

这就是为什么重要的是要知道：FRAM 不是新的解决方案，但富士通的当前版本是新的。

还应提及 1.8 至 3.6 伏的宽电压供应范围。通过这种方式，客户的要求得到了充分的落实，因此富士通 8 Mbit FRAM 不仅是一款功能强大的产品，而且首先是一款用户友好型和客户友好型的产品。不要忘记待机时的低功耗，因为这里的 FRAM 只需要 150 µA。以前的内存模型在这方面要高得多，在待机模式下消耗高达 300 µA。

不再需要数据缓冲器电池这一事实仍然是 SRAM 中的标准，这对用户也应该是有利的。同时，无需更改接口和 PCB 设计来补偿可能较差的存储能力。富士通 8 Mbit FRAM 应该具有全面的说服力。在评估中，FRAM 被证明非常适合在精度和性能必须齐头并进的工业系统中使用。