中文
搜索
中文

MB85RC64TAPNF-G-AWERE2

代理产品线 > 富士通铁电存储 > MB85RC64TAPNF-G-AWERE2
    • 1
    • 2

MB85RC64TAPNF-G-AWERE2

MB85RC64TA是一款配置为8192的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片, 8129字节x 8位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。

与SRAM不同，MB85RC64TA能够在不使用数据备用电池的情况下保留数据。

用于MB85RC64TA的非易失性存储单元的读/写耐久性已提高至少1013个周期，在数量上明显优于闪存和E2PROM。

MB85RC64TA在写入内存（如闪存）后不需要轮询序列

内存或E2PROM。
分享到：

特点

• 位配置：8129 × 8 位

• 二线串行接口：通过两个端口实现完全可控：串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。

• 工作频率：3.4 MHz ( 超高速模式时，最大值 )

                   1 MHz ( 快速增强模式，最大值)

• 读/ 写耐久性：1013 （十万亿）次/ 字节

• 数据保持：19.1年 ( + 105 °C), 70.4 年 ( + 85 °C)

• 工作电源电压：1.8 V 到3.6 V

• 低功耗：工作电流  170 μA （3.4 MHz 下的典型值）， 1.2 mA （3.4 MHz 下的最大值）

待机电流 8 μA （典型值）

休眠电流 4 μA （典型值）

• 工作环境温度范围

：− 40 °C 到+ 105 °C

• 封装：8 引脚塑料 SOP

             8 引脚塑料 SON

            符合 RoHS


姓名
电话号码
电子邮箱
公司名称
地址
留言*
 
验证码
提交
上一个： 华大超值安全MCU CIU32F003系列
下一个： MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
富士通铁电存储 汇顶触摸芯片 移远模块 一级代理