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MB85RS512TPNF-G-JNERE1

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MB85RS512TPNF-G-JNERE1

MB85RS512T 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 65,536字x8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS512T 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS512T 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS512T 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS512T 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样长时间写入数据，而 MB85RS512T无需等待。
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特点

• 位配置：65,536 字 x 8 位

• 串行外设接口：SPI（串行外设接口）

对应SPI模式0 (0, 0)和模式3 (1, 1)

• 工作频率：1.8 V 至 2.7 V，25 MHz（最大值）

2.7 V 至 3.6 V，30 MHz（最大值）

对于 FSTRD 命令，2.7 V 至 3.6 V，40 MHz（最大值）

• 高耐久性：1013次/字节

• 数据保留：10 年 (+85 C)、95 年 (+ 55 C)、200 年以上 (+ 35 C)

• 工作电源电压：1.8 V 至 3.6 V

• 低功耗：工作电源电流 6 mA (Typ@30 MHz)

10 毫安（最大@30 MHz）

待机电流 120 μA（最大）

休眠电流 10 μA（最大值）

• 工作环境温度范围：-40 C 至 +85 C

• 封装：8 针塑料 SOP

符合 RoHS 标准



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