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内置LSI MB97R8110-WF
本文档提供了基于“EPCglobal Class 1 Generation 2 Ver.1.2.0”的无源 RFID 标签 LSI“MB97R8110”（USER bank 8kBytes）的 LSI 规范。
在本规范中，EPCglobal 标准中使用的术语“询问器”被描述为 R/W（读取器/写入器）。 术语“标签”按原样使用。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC04V 在写入存储器后无需轮询序列。
在本规范中，EPCglobal 标准中使用的术语“询问器”被描述为 R/W（读取器/写入器）。 术语“标签”按原样使用。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC04V 在写入存储器后无需轮询序列。
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
MB85RS1MT是配置为131072的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片话x 8位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS1MT采用串行外围接口（SPI）。
MB85RS1MT能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。
MB85RS1MT中使用的存储单元可用于1013次读/写操作，这是一个非常重要的问题,改进了闪存和E2PROM支持的读写操作数量。
MB85RS1MT不需要很长时间来写入闪存或E2PROM之类的数据，而MB85RS1MT没有等待时间。
非易失性存储单元。
MB85RS1MT采用串行外围接口（SPI）。
MB85RS1MT能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。
MB85RS1MT中使用的存储单元可用于1013次读/写操作，这是一个非常重要的问题,改进了闪存和E2PROM支持的读写操作数量。
MB85RS1MT不需要很长时间来写入闪存或E2PROM之类的数据，而MB85RS1MT没有等待时间。
富士通铁电存储MB85RC04V
MB85RC04V 是一种被称为FRAM （铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 512 × 8 位，通过铁电工
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC04V 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC04V 非易失性存储单元读/ 写的耐久性进一步提升，至少为 1012 （一万亿）次，明显超过FLASH
和 E2PROM。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC04V 在写入存储器后无需轮询序列。
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC04V 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC04V 非易失性存储单元读/ 写的耐久性进一步提升，至少为 1012 （一万亿）次，明显超过FLASH
和 E2PROM。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC04V 在写入存储器后无需轮询序列。
Quectel LC86G GPS GNSS 模块
基于最新增强型芯片组，全新移远LC86G GNSS模块支持GPS并发接收，GLONASS、北斗系统、伽利略和 QZSS。 LC86G 旨在与移远通信 L86 模块兼容，允许他们之间的顺利迁移。
GA6572 汽车电子电容触控芯片
GA6572 是专门应用于汽车电子市场的电容触控方案，拥有 42 个驱动通道和 30 个感应通道。支持 10.1”、10.25”的汽车触控屏幕，Sensor Pitch 在 5.5mm 以内；可支持更大尺寸到 12.3”、比例 8：3 的汽车触控屏幕，Sensor Pitch 在 6.5mm 以内。
GA6572 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。具备较强的抗干扰能力，支持防水、手套等功能。
GA6572 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。具备较强的抗干扰能力，支持防水、手套等功能。
GA6571 汽车电子电容触控芯片
GA6571 是专门应用于汽车电子市场的电容触控方案，拥有 32 个驱动通道和 24 个感应通道，支持 8”的汽车触控屏幕，Sensor Pitch 在 5.5mm 以内；可支持最大尺寸到 10.25”。
GA6571 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。具备较强的抗干扰能力，支持防水、手套等功能。
GA6571 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。具备较强的抗干扰能力，支持防水、手套等功能。
GT928 大尺寸10 点电容触控芯片
GT928 是专为 7”~10.1"设计的新一代 10 点电容触控方案，拥有 32 个驱动通道和 24 个感应通道，以满足更高的 touch 精度要求。
GT928 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。并可根据主控需要，读取相应点数的触摸信息。
GT928 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。并可根据主控需要，读取相应点数的触摸信息。
GT9271 10点MID电容触控芯片
GT9271 是专为 7”~10.1”设计的新一代 10 点电容触控方案，拥有 32 个驱动通道和 20 个感应通道，以满足更高的 touch 精度要求。
GT9271 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。并可根据主控需要，读取相应点数的触摸信息。
GT9271 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。并可根据主控需要，读取相应点数的触摸信息。
GT9110P 单芯片10点电容触控芯片
GT9110P 是专为平板电脑设计的新一代单芯片 10 点电容触控方案，多达 42 个驱动通道和30 个感应通道，实现平板电脑的高精度 touch。与 GT9110P 相配合的电容屏专用电容笔控制芯片 GT930，采用压敏电阻检测压力方式，可实现电容屏上笔写的精细操作，能够增加用户体验。
GT1151 汇顶单芯片10点电容触控芯
GT1151 汇顶单芯片10点电容触控芯
3G模组 EM770W
华为EM770W PCIE HSDPA WCDMA/GPS 3G Mini PCIE模块
Quectel LPWA BG95 模块
BG95 是一系列支持3GPP Release 14 协议规范的多模（LTE Cat M1/LTE Cat NB2/EGPRS）LPWA 模块。在LTE Cat M1 网
络下，模块可支持最大上行速率1119 kbps 和最大下行速率588 kbps。采用内置MCP 以及支持ThreadX 系统的ARM
Cortex A7 处理器，该系列模块功耗超低；与同类产品相比，其PSM 漏电降低70%、eDRX 模式下功耗降低85%。
络下，模块可支持最大上行速率1119 kbps 和最大下行速率588 kbps。采用内置MCP 以及支持ThreadX 系统的ARM
Cortex A7 处理器，该系列模块功耗超低；与同类产品相比，其PSM 漏电降低70%、eDRX 模式下功耗降低85%。
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