MB85RS1MT是配置为131072的FRAM(铁电随机存取存储器)芯片话x 8位,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS1MT采用串行外围接口(SPI)。
MB85RS1MT能够在不使用备用电池的情况下保留数据,这是SRAM所需要的。
MB85RS1MT中使用的存储单元可用于1013次读/写操作,这是一个非常重要的问题,改进了闪存和E2PROM支持的读写操作数量。
MB85RS1MT不需要很长时间来写入闪存或E2PROM之类的数据,而MB85RS1MT没有等待时间。