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TFmini-i 激光雷达模组
TFmini-i 激光雷达模组
GT9110 单芯片10点电容触控芯
GT9110 是专为平板电脑设计的新一代单芯片 10 点电容触控方案，多达 42 个驱动通道和 30 个感应通道，实现平板电脑的高精度 touch。
GT9110 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。并可根据主控需要，读取相应点数的触摸信息。
GT9110 可同时识别 10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。并可根据主控需要，读取相应点数的触摸信息。
GT9115 10点电容触控芯
GT9115是专为windows 8触控笔记本及超级本设计的10点电容触控解决方案，多达36个驱动通道和60个感应通道，实现windows 8触控高精度touch
GA6873 汽车电子电容触控芯片
GA6873 是专门应用于汽车电子市场的电容触控方案，拥有44 个驱动通道和49 个感应通道，支持从
12.8 寸1.1：1 比例（pitch 小于5.5mm）到17 寸16：9 比例（pitch 小于6.5mm）的汽车触控屏幕；并支
持RX 复用适配长条屏，如双12.3 寸（长宽分别为600mm/110mm）等长条屏应用。
GA6873 可同时识别10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。具备优秀的抗干扰能力，
支持厚盖板、防水、手套、触控按键等功能。
12.8 寸1.1：1 比例（pitch 小于5.5mm）到17 寸16：9 比例（pitch 小于6.5mm）的汽车触控屏幕；并支
持RX 复用适配长条屏，如双12.3 寸（长宽分别为600mm/110mm）等长条屏应用。
GA6873 可同时识别10 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。具备优秀的抗干扰能力，
支持厚盖板、防水、手套、触控按键等功能。
GT911 小尺寸 MID5点电容触控芯片
GT911 是专为 7”~8”设计的新一代 5 点电容触控方案，拥有 26 个驱动通道和 14 个感应通道，以满足更高的 touch 精度要求。
GT911 可同时识别 5 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。并可根据主控需要，读取相应点数的触摸信息
GT911 可同时识别 5 个触摸点位的实时准确位置，移动轨迹及触摸面积。并可根据主控需要，读取相应点数的触摸信息
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
MB85RS2MTA 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 262,144
字x8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS2MTA 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS2MTA 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS2MTA 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS2MTA 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样花费很长时间来写入数据，而 MB85RS2MTA
无需等待。
字x8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS2MTA 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS2MTA 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS2MTA 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS2MTA 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样花费很长时间来写入数据，而 MB85RS2MTA
无需等待。
MB85RS512TPNF-G-JNERE1
MB85RS512T 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 65,536字x8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS512T 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS512T 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS512T 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS512T 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样长时间写入数据，而 MB85RS512T无需等待。
非易失性存储单元。
MB85RS512T 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS512T 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS512T 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS512T 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样长时间写入数据，而 MB85RS512T无需等待。
MB85RS16PNF-G-JNERE1
MB85RS16 是 FRAM （铁电随机存取存储器）芯片，配置为 2,048 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS16 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS16 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS16 中使用的存储单元可用于 1012 次读/ 写操作，它的读/ 写耐久性大大超过FLASH 和E2PROM。
MB85RS16 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS16 不需要等待时间。
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS16 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS16 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS16 中使用的存储单元可用于 1012 次读/ 写操作，它的读/ 写耐久性大大超过FLASH 和E2PROM。
MB85RS16 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS16 不需要等待时间。
MB85RC16PNF-G-JNERE1
MB85RC16 是一种被称为FRAM（铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 2,048 × 8 位，通过铁电工
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC16 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC16 中使用的存储单元至少具有每字节 1012 （一万亿）次读/ 写操作的耐久性，次数明显超过其他
非易失性FLASH 等产品。
MB85RC16 可执行以一字节为一组的写操作。它与FLASH 和 E2PROM 不同，既不需要很长的写时间，也
不需要在写入存储器后的轮询序列。
■
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC16 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC16 中使用的存储单元至少具有每字节 1012 （一万亿）次读/ 写操作的耐久性，次数明显超过其他
非易失性FLASH 等产品。
MB85RC16 可执行以一字节为一组的写操作。它与FLASH 和 E2PROM 不同，既不需要很长的写时间，也
不需要在写入存储器后的轮询序列。
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MB85AS8MTPW-G-KBAERE1
极小工作电流的非易失性存储器
ReRAM
(电阻式随机存取存储器)
富士通ReRAM具有业界最小的读取电流。最适合于助听器等电池供电的小型可穿戴设备。
内存或E2PROM。
ReRAM
(电阻式随机存取存储器)
富士通ReRAM具有业界最小的读取电流。最适合于助听器等电池供电的小型可穿戴设备。
内存或E2PROM。
MB85AS12MTPW-GAERE1
极小工作电流的非易失性存储器
ReRAM
(电阻式随机存取存储器)
富士通ReRAM具有业界最小的读取电流。最适合于助听器等电池供电的小型可穿戴设备。
内存或E2PROM。
ReRAM
(电阻式随机存取存储器)
富士通ReRAM具有业界最小的读取电流。最适合于助听器等电池供电的小型可穿戴设备。
内存或E2PROM。
GT7382H 汇顶10点电容触控芯
GT7382H 汇顶10点电容触控芯
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