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MB85RC64TAPNF-G-AWERE2
MB85RC64TA是一款配置为8192的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片, 8129字节x 8位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。
与SRAM不同，MB85RC64TA能够在不使用数据备用电池的情况下保留数据。
用于MB85RC64TA的非易失性存储单元的读/写耐久性已提高至少1013个周期，在数量上明显优于闪存和E2PROM。
MB85RC64TA在写入内存（如闪存）后不需要轮询序列
内存或E2PROM。
与SRAM不同，MB85RC64TA能够在不使用数据备用电池的情况下保留数据。
用于MB85RC64TA的非易失性存储单元的读/写耐久性已提高至少1013个周期，在数量上明显优于闪存和E2PROM。
MB85RC64TA在写入内存（如闪存）后不需要轮询序列
内存或E2PROM。
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
MB85RC1MT 是一种被称为FRAM（铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 131,072 × 8 位，通过铁
电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC1MT 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC1MT 非易失性存储单元读/ 写的耐久性进一步提升，至少为 1013 （一万亿）次，明显超过FLASH
和 E2PROM。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC1MT 在写入存储器后无需轮询序列。
电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC1MT 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC1MT 非易失性存储单元读/ 写的耐久性进一步提升，至少为 1013 （一万亿）次，明显超过FLASH
和 E2PROM。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC1MT 在写入存储器后无需轮询序列。
MB85RS64PNF-G-JNERE1
MB85RS64PNF-G-JNERE1
MB85RS256BPNF-G-JNERE1
MB85RS256B 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 32,768 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS256B 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS256B 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS256B 中使用的存储单元可用于 1012 次读 / 写操作，它的读/ 写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。
MB85RS256B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS256B 不需要等待
时间。
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS256B 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS256B 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS256B 中使用的存储单元可用于 1012 次读 / 写操作，它的读/ 写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。
MB85RS256B 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS256B 不需要等待
时间。
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
MB85RS2MTA 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 262,144
字x8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS2MTA 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS2MTA 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS2MTA 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS2MTA 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样花费很长时间来写入数据，而 MB85RS2MTA
无需等待。
字x8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS2MTA 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS2MTA 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS2MTA 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS2MTA 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样花费很长时间来写入数据，而 MB85RS2MTA
无需等待。
MB85RS512TPNF-G-JNERE1
MB85RS512T 是 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为 65,536字x8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS512T 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS512T 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS512T 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS512T 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样长时间写入数据，而 MB85RS512T无需等待。
非易失性存储单元。
MB85RS512T 采用串行外设接口（SPI）。
MB85RS512T 无需使用备用电池即可保留数据，这正是 SRAM 的需要。
MB85RS512T 中使用的存储单元可用于 1013 次读/写操作，这是一个重要的改进了闪存和 E2PROM 支持的读写操作的数量。
MB85RS512T 不会像 Flash 存储器或 E2PROM 那样长时间写入数据，而 MB85RS512T无需等待。
MB85RS16PNF-G-JNERE1
MB85RS16 是 FRAM （铁电随机存取存储器）芯片，配置为 2,048 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS16 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS16 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS16 中使用的存储单元可用于 1012 次读/ 写操作，它的读/ 写耐久性大大超过FLASH 和E2PROM。
MB85RS16 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS16 不需要等待时间。
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS16 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS16 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS16 中使用的存储单元可用于 1012 次读/ 写操作，它的读/ 写耐久性大大超过FLASH 和E2PROM。
MB85RS16 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS16 不需要等待时间。
MB85RC16PNF-G-JNERE1
MB85RC16 是一种被称为FRAM（铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 2,048 × 8 位，通过铁电工
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC16 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC16 中使用的存储单元至少具有每字节 1012 （一万亿）次读/ 写操作的耐久性，次数明显超过其他
非易失性FLASH 等产品。
MB85RC16 可执行以一字节为一组的写操作。它与FLASH 和 E2PROM 不同，既不需要很长的写时间，也
不需要在写入存储器后的轮询序列。
■
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC16 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC16 中使用的存储单元至少具有每字节 1012 （一万亿）次读/ 写操作的耐久性，次数明显超过其他
非易失性FLASH 等产品。
MB85RC16 可执行以一字节为一组的写操作。它与FLASH 和 E2PROM 不同，既不需要很长的写时间，也
不需要在写入存储器后的轮询序列。
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MB85AS8MTPW-G-KBAERE1
极小工作电流的非易失性存储器
ReRAM
(电阻式随机存取存储器)
富士通ReRAM具有业界最小的读取电流。最适合于助听器等电池供电的小型可穿戴设备。
内存或E2PROM。
ReRAM
(电阻式随机存取存储器)
富士通ReRAM具有业界最小的读取电流。最适合于助听器等电池供电的小型可穿戴设备。
内存或E2PROM。
MB85AS12MTPW-GAERE1
极小工作电流的非易失性存储器
ReRAM
(电阻式随机存取存储器)
富士通ReRAM具有业界最小的读取电流。最适合于助听器等电池供电的小型可穿戴设备。
内存或E2PROM。
ReRAM
(电阻式随机存取存储器)
富士通ReRAM具有业界最小的读取电流。最适合于助听器等电池供电的小型可穿戴设备。
内存或E2PROM。
内置LSI MB97R8110-WF
本文档提供了基于“EPCglobal Class 1 Generation 2 Ver.1.2.0”的无源 RFID 标签 LSI“MB97R8110”（USER bank 8kBytes）的 LSI 规范。
在本规范中，EPCglobal 标准中使用的术语“询问器”被描述为 R/W（读取器/写入器）。 术语“标签”按原样使用。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC04V 在写入存储器后无需轮询序列。
在本规范中，EPCglobal 标准中使用的术语“询问器”被描述为 R/W（读取器/写入器）。 术语“标签”按原样使用。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC04V 在写入存储器后无需轮询序列。
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
MB85RS1MT是配置为131072的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片话x 8位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成
非易失性存储单元。
MB85RS1MT采用串行外围接口（SPI）。
MB85RS1MT能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。
MB85RS1MT中使用的存储单元可用于1013次读/写操作，这是一个非常重要的问题,改进了闪存和E2PROM支持的读写操作数量。
MB85RS1MT不需要很长时间来写入闪存或E2PROM之类的数据，而MB85RS1MT没有等待时间。
非易失性存储单元。
MB85RS1MT采用串行外围接口（SPI）。
MB85RS1MT能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。
MB85RS1MT中使用的存储单元可用于1013次读/写操作，这是一个非常重要的问题,改进了闪存和E2PROM支持的读写操作数量。
MB85RS1MT不需要很长时间来写入闪存或E2PROM之类的数据，而MB85RS1MT没有等待时间。
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