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富士通铁电存储MB85RC04V

MB85RC04V 是一种被称为FRAM （铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 512 × 8 位，通过铁电工
艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。
与 SRAM 不同， MB85RC04V 无需备用电池即可保持数据。
MB85RC04V 非易失性存储单元读/ 写的耐久性进一步提升，至少为 1012 （一万亿）次，明显超过FLASH
和 E2PROM。
与FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC04V 在写入存储器后无需轮询序列。
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